IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 1050 W 底座安装 模块
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FF200R12KT3HOSA1

DigiKey 零件编号
448-FF200R12KT3HOSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
FF200R12KT3HOSA1
描述
IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 1050 W 底座安装 模块
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
C
包装
托盘
零件状态
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
功率 - 最大值
1050 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
14 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FF200R12
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现货: 8
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数量
所有价格均以 SGD 计算
托盘
数量 单价总价
1$162.03000$162.03
10$137.89200$1,378.92
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$162.03000
含 VAT 单价:$176.61270

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