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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 900 A 底座安装 模块
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FF900R12IE4VPBOSA1

DigiKey 零件编号
FF900R12IE4VPBOSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
FF900R12IE4VPBOSA1
描述
IGBT MODULE 1200V 900A MODULE
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 900 A 底座安装 模块
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
PrimePACK™2
包装
托盘
零件状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
900 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，900A
电流 - 集电极截止（最大值）
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
54 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FF900R12
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